| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 0.051 Ω |
| 功耗 | 2.8 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 530pF @15V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 热阻 | 58℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 530pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.9A 2.8W 表面贴装型 8-SO
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VISHAY（威世）
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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VISHAY SI4936BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 6.9A
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