Datasheet 搜索 > VISHAY（威世） > SI4936BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4936BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4936BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻35 mΩ
极性Dual N
功耗2 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)6.9A
输入电容值(Ciss)530pF @15V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
查看数据手册 >

SI4936BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
最小包装数量2500
查看数据手册 >

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.17 MByte
SI4936BDY-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.1 MByte

SI4936BDYT1 数据手册

SI4936BDY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
SI4936BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4936BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI4936BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4936BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
SI4936BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI4936BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 6.9A
SI4936BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet