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SI4946BEY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4946BEY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4946BEY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V
PDF文件:SI4946BEY-T1-E3 数据手册 (7 页)
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SI4946BEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
额定功率2.6 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.033 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗3.7 W
阈值电压2.4 V
输入电容840pF @30V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)65.0 A
热阻50℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)840pF @30V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.7 W
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SI4946BEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.55 mm
工作温度-50℃ ~ 175℃
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SI4946BEY-T1-E3 数据手册

SI4946BEY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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SI4946BEYT1 数据手册

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VISHAY（威世）
双N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
SI4946BEY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
SI4946BEY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
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