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ZXMC3A16DN8TC
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ZXMC3A16DN8TC 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:Diodes（美台）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:ZXMC3A16 系列 30 V 6.4 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8
PDF文件:ZXMC3A16DN8TC 数据手册 (10 页)封装尺寸在10 页
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焊盘图
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ZXMC3A16DN8TC 数据手册 (10 页)
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ZXMC3A16DN8TC 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流6.40 A
封装SOIC-8
额定功率2.1 W
漏源极电阻50.0 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗2.1 W
输入电容796 pF
栅电荷17.5 nC
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压±30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)5.40 A
上升时间6.4 ns
输入电容值(Ciss)796pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间9.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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ZXMC3A16DN8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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ZXMC3A16DN8TC 数据手册

ZXMC3A16DN8TC 数据手册
Diodes（美台）
10 页 / 0.32 MByte
ZXMC3A16DN8TC 其他数据使用手册
Diodes（美台）
199 页 / 0.86 MByte
ZXMC3A16DN8TC 产品封装文件
Diodes（美台）
11 页 / 0.3 MByte

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