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器件3D模型
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来自 AiPCBA
SI4946CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix
制造商:
Vishay Siliconix
封装:
SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
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SI4946CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
350pF @30V(Vds)
SI4946CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
SI4946CDY-T1-GE3 符合标准
SI4946CDY-T1-GE3 概述
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 5.2A(Ta),6.1A(Tc) 2W(Ta),2.8W(Tc) 表面贴装型 8-SO
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SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
SI4946CDY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
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SI4946CDYT1 数据手册
SI4946CDY-T1-GE3
数据手册
VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
SI4946CDY-T1-GE3
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STM32F103
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