最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | -6A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = - 4.5 V, ID = - 6.0 A RDS=0.036~0.044Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1~-3V 耗散功率Pd Power dissipation | 6.3W 描述与应用 Description & Applications |
VISHAY（威世）
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P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8
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P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL
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