Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI9433BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI9433BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI9433BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
PDF文件:SI9433BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI9433BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI9433BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.03 Ω
极性P-Channel
功耗1.3 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间55 ns
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
查看数据手册 >

SI9433BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量2500
查看数据手册 >

SI9433BDY-T1-GE3 数据手册

SI9433BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.09 MByte
SI9433BDY-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.18 MByte

SI9433BDYT1 数据手册

SI9433BDY-T1 数据手册
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9433BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
SI9433BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI9433BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
SI9433BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI9433BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
SI9433BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
SI9433BDY-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI9433BDY-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet