| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 工作电压 | 171 V |
| 封装 | DO-214AA-2 |
| 额定功率 | 600 W |
| 击穿电压 | 200 V |
| 电路数 | 1 Circuit |
| 针脚数 | 2 Position |
| 功耗 | 600 W |
| 钳位电压 | 353 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 171V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 210 V |
| 脉冲峰值功率 | 600 W |
| 最小反向击穿电压 | 190 V |
| 击穿电压 | 190 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 3.95 mm |
| 高度 | 2.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
极性Polarization| 双向 Bidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 171V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 200V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 2.2A 额定耗散功率PdPower dissipation| 5W Description & Applications| Features • PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs) • BREAKDOWN VOLTAGE RANGE :From 6.8V to 220 V • UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES • LOW CLAMPING FACTOR • FAST RESPONSE TIME • UL RECOGNIZED 描述与应用| 特点 •峰值脉冲功率：600 W（10/1000μS） •击穿电压范围：6.8V至220 V •单向和双向类型 •低钳位因子 •快速的响应时间 •UL认证
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SM6T200A TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 171 V, 353 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SM6T200CA TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 双向, 171 V, 353 V, DO-214AA, 2 引脚
VISHAY（威世）
特点•峰值脉冲功率：600 W（10/1000μS）•击穿电压范围：6.8V至220 V•单向和双向类型•低钳位因子•快速的响应时间•UL认证
Vishay Semiconductor（威世）
SM6T200A-E3/52 瞬态抑制二极管TVS/ESD 171V 2.2A 5W DO-214AA/SMB-200V 标记PR75AA
Vishay Semiconductor（威世）
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 200V 5% Bi
Vishay Semiconductor（威世）
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,UNIDIR,SMB TVS
Vishay Semiconductor（威世）
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,UNIDIR,SMB TVS
Vishay Semiconductor（威世）
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,BIDIR,SMB TVS
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