类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.25 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
上升时间 | 28 ns |
输入电容值(Ciss) | 2070pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100 V, 4.0毫欧, 120一个的STripFET ?功率MOSFET D2PAK , TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ?功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
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N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新
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