| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 330 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| Features • NPN Silicon Switching Transistor • High DC current gain: 0.1mA to 500mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: SMBT2907 (PNP) 描述与应用| 特点 •NPN型硅开关晶体管 •高直流电流增益：0.1mA至500mA的 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补型：SMBT2907（PNP）
Infineon（英飞凌）
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硅NPN开关晶体管 NPN Silicon Switching Transistors
Infineon（英飞凌）
低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage
Infineon（英飞凌）
NPN 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
Siemens Semiconductor（西门子）
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