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SPA11N80C3XKSA1
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SPA11N80C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SPA11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
SPA11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)
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SPA11N80C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流11.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.39 Ω
极性N-Channel
功耗41 W
阈值电压3 V
输入电容1600 pF
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间15 ns
正向电压(Max)1.2 V
输入电容值(Ciss)1600pF @100V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)41 W
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SPA11N80C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度9.83 mm
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SPA11N80C3XKSA1 数据手册

SPA11N80C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.47 MByte
SPA11N80C3XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
SPA11N80C3XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
SPA11N80C3XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
SPA11N80C3XKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.11 MByte

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INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
SPA11N80C3XKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
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