SPB18P06P 数据手册 - Siemens Semiconductor（西门子）

INFINEON  SPB18P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

60V,-18.6A,P沟道功率MOSFET

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor