| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.6 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 81.1 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.101 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 81.1 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 860 pF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.6 A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 690pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 9.25 mm |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
●· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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8 页 / 0.43 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
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