| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 4.50 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 50W (Tc) |
| 输入电容 | 580 pF |
| 栅电荷 | 22.9 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.50 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 580pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 600 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD04N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
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