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SPI20N60CFD
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SPI20N60CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-262-3
描述:酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
PDF文件:SPI20N60CFD 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SPI20N60CFD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-262-3
漏源极电阻0.22 Ω
极性N-Channel
功耗208 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)20.7 A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)208 W
下降时间6.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SPI20N60CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.2 mm
宽度4.5 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SPI20N60CFD 数据手册

SPI20N60CFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.56 MByte
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