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SPN04N60S5
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SPN04N60S5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
PDF文件:SPN04N60S5 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SPN04N60S5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)650 V
额定电流700 mA
封装TO-261-4
极性N-CH
功耗1.8W (Ta)
输入电容600 pF
栅电荷17.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)700 mA
输入电容值(Ciss)600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
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SPN04N60S5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SPN04N60S5 数据手册

SPN04N60S5 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.52 MByte
SPN04N60S5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
SPN04N60S5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.34 MByte

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