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IDT10S60C
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IDT10S60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:TVS二极管
封装:TO-220-2
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
PDF文件:IDT10S60C 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IDT10S60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流10.0 A
封装TO-220-2
输出电流≤10.0 A
正向电压1.7 V
极性Standard
正向电流10 A
最大正向浪涌电流84 A
正向电压(Max)1.7 V
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
工作结温(Max)175 ℃
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IDT10S60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Each
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IDT10S60C 数据手册

IDT10S60C 数据手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.24 MByte
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Infineon（英飞凌）
第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
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