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IPP65R074C6
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IPP65R074C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP65R074C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP65R074C6 数据手册 (15 页)
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IPP65R074C6 数据手册 (15 页)
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IPP65R074C6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.067 Ω
极性N-Channel
功耗480.8 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)57.7A
上升时间7 ns
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IPP65R074C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP65R074C6 数据手册

IPP65R074C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
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INFINEON  IPP65R074C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON  IPP65R074C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
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