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BSB012NE2LX
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BSB012NE2LX 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:MG-WDSON-2
描述:N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET
PDF文件:BSB012NE2LX 数据手册 (14 页)
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BSB012NE2LX 数据手册 (14 页)
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BSB012NE2LX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装MG-WDSON-2
极性N-CH
功耗2.8W (Ta), 57W (Tc)
阈值电压1.2V ~ 2V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)37A
输入电容值(Ciss)4900pF @12V(Vds)
额定功率(Max)2.8 W
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 57W (Tc)
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BSB012NE2LX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSB012NE2LX 数据手册

BSB012NE2LX 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.31 MByte
BSB012NE2LX 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BSB012NE2LX 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.41 MByte

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