| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.8A |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon（英飞凌）
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INFINEON SPP08P06PHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Infineon（英飞凌）
P沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分 P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated
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