| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 81.1 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.102 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 81.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.7A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 690pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 81.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.36 mm |
| 宽度 | 4.57 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
●· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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INFINEON SPP18P06PHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
Infineon（英飞凌）
SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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INFINEON SPP18P06P H 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
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SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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