| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.19 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 208 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.7A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 208 W |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 208W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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