类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 20.7 A |
封装 | TO-247 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 208 W |
输入电容 | 2.40 nF |
栅电荷 | 114 nC |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.7 A |
上升时间 | 5.00 ns |
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INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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