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SPW55N80C3
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SPW55N80C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  SPW55N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 54.9 A, 850 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SPW55N80C3 数据手册 (15 页)
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SPW55N80C3 数据手册 (15 页)
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SPW55N80C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.077 Ω
极性N-Channel
功耗500 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)850 V
连续漏极电流(Ids)54.9A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)7520pF @100V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500 W
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SPW55N80C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SPW55N80C3 数据手册

SPW55N80C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.2 MByte
SPW55N80C3 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
SPW55N80C3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
SPW55N80C3 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

SPW55N80 数据手册

SPW55N80C3 数据手册
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INFINEON  SPW55N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 54.9 A, 850 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON  SPW55N80C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 54.9 A, 850 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
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