| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 40 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • NPN Silicon Transistor for High Voltages • High breakdown voltage • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: SMBTA92 (PNP) 描述与应用| 特点 •NPN硅晶体管高电压 •高击穿电压 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型：SMBTA92（PNP）
Infineon（英飞凌）
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