| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | UFM-3 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.7A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.129Ω @-650mA,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5V--1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| High Speed Switching Applications •2.0V drive •Low on-resistance: Ron = 449mΩ (max) (@VGS = −2.0 V) Ron = 249mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 169mΩ (max) (@VGS = −4.0 V) 描述与应用| 高速开关应用 •2.0V驱动 •低导通电阻RON =449mΩ（最大）（@ VGS=-2.0 V） 罗恩=249mΩ（最大）（@ VGS= -2.5 V） RON =169mΩ（最大）（@ VGS=-4.0 V）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM3J113TU P沟道MOS场效应管 -20V -1.7A 0.129ohm SOT-323 marking/标记 JJ6 高速开关 2V驱动 低导通电阻
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