最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 8Ω @-10mA,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.1V--1.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.16 MByte
Toshiba（东芝）
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15FS P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15F P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-23 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15TE P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 6ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM3J15TE(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -30 V, 12 ohm, -4 V, -1.7 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
