SSM3K05FU 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 4Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.7-1.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • 2.5 V gate drive • High input impedance • Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V • Small package 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 模拟开关应用 •2.5 V门极驱动 •高输入阻抗 •低栅极阈值电压VTH =0.7〜1.3 V •小型封装