| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N+P |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.4A/0.2A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V/20V 最大漏极电流IdDrain Current| 400mA/-200mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 700mΩ@ VGS = 10V, ID = 200mA/ 2700mΩ@ VGS = -10V, ID =-100mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.1~1.8V/-1.1~-1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.7 Ω (max) (@VGS = 10 V) Q2: Ron = 2.7 Ω (max) (@VGS = −10 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 小型封装 低Q1阻力：RON =0.7Ω（最大）（@ VGS= 10 V） Q2：RON =2.7Ω（最大值）（@ VGS=-10 V）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM6L09FU 复合场效应管 30V/-30V 400mA/-200mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K5 电源管理 高速开关
Toshiba（东芝）
MOS场效应管 SSM6L09FU(TE85L,F) SC-88(SOT-363)
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