最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| MOSFET P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -32V 最大漏极电流IdDrain Current| 20V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -5.5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 35mΩ@ VGS = -10V, ID = -3000mA 耗散功率PdPower Dissipation| 9.6s@VDS=-10V，Id=-3A Description & Applications| 描述与应用| -0.8~-2.0V
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TPCP8402 复合场效应管 30V/-30V 4.2A/-3.4A PS-8 marking/标记 8402 电机驱动 DC/DC转换
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TPCP8901 NPN+PNP复合三极管 100V/-50V 1A/-800mA 200~500/400~1000 PS-8 标记8901 用于开关/数字电路
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TPCP8J01 FET+BJT复合场效应管 -32V 50V marking/标记 8J01 ps-8
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TPCP8602 PNP三极管 -50V -2.5A 200~500 -200mV/-0.2V PS-8 marking/标记 8602 DC-DC转换器/频闪/高速开关
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TPCP8301 复合场效应管 -20V -5A PS-8 marking/标记 8301 锂离子电池应用 低导通电阻
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TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01
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TPCP8202 复合场效应管 30V 5.5A PS-8 marking/标记 8202 电机驱动 DC/DC转换
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TPCP8701 双NPN 100V 3A HEF=200~1000 PS-8 代码 8701
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