| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-226-3 |
| 功耗 | 900mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 450 V |
| 输入电容值(Ciss) | 240pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 900mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
450V N沟道MOSFET 450V N-Channel MOSFET
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