类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 450 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-92-3 |
漏源极电阻 | 4.25 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 900 mW |
漏源极电压(Vds) | 450 V |
漏源击穿电压 | 450 V |
栅源击穿电压 | ±50.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
上升时间 | 21 ns |
输入电容值(Ciss) | 240pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 900 mW |
下降时间 | 21 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 900mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
450V N沟道MOSFET 450V N-Channel MOSFET
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