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SSN1N45BTA
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SSN1N45BTA 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-92-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SSN1N45BTA  晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SSN1N45BTA 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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SSN1N45BTA 数据手册 (8 页)
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SSN1N45BTA 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)450 V
额定电流500 mA
封装TO-92-3
针脚数3 Position
漏源极电阻3.4 Ω
极性N-Channel
功耗900 mW
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)450 V
漏源击穿电压450 V
栅源击穿电压±50.0 V
连续漏极电流(Ids)500 mA
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)240pF @25V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间36 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900mW (Ta)
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SSN1N45BTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SSN1N45BTA 数据手册

SSN1N45BTA 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.69 MByte
SSN1N45BTA 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.65 MByte

SSN1N45 数据手册

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晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SSN1N45BTA  晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
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