| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 350 mW |
| 增益频宽积 | 50 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 500 mA 50MHz 350 mW 表面贴装型 SST3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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PNP通用晶体管 PNP General Purpose Transistor
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单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
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