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RQ1C075UNTR 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
分类:
MOS管
封装:
TSMT-8
描述:
N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RQ1C075UNTR 数据手册
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RQ1C075UNTR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TSMT-8
功耗
1.5 W
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
700mW (Ta)
RQ1C075UNTR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)
RQ1C075UNTR 符合标准
RQ1C075UNTR 数据手册
RQ1C075UNTR
其他数据使用手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 2.43 MByte
RQ1C075 数据手册
RQ1C075
UNTR
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V
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