类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 190 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 29A |
上升时间 | 53.4 ns |
输入电容值(Ciss) | 2785pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
下降时间 | 61.8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 9.35 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STB36NM60N 系列 600 V 105 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK-3
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