| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SC-75 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.35A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.8Ω @-350mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V 耗散功率PdPower Dissipation| 175mW/0.175W Description & Applications| FEATURES • Halogen-free Option Available • High-Side Switching • Low On-Resistance: 1.2 Ω • Low Threshold: 0.8 V (Typ.) • Fast Switching Speed: 14 ns • 1.8 V Operation • TrenchFET Power MOSFETs • 2000 V ESD Protection 描述与应用| •无卤股权 •高边开关 •低导通电阻：1.2Ω •低阈值：0.8 V（典型值） •开关速度快：14纳秒 •1.8 V操作 •的TrenchFET 功率MOSFET •2000 V ESD保护
VISHAY（威世）
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P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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