| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 漏源极电阻 | 1.90 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V
●最大漏极电流IdDrain Current| 290mA/-410mA
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 4.2Ω@ VGS =2.5V, ID =100mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1V/-1V
●耗散功率PdPower Dissipation| 270mW/0.27W
●Description & Applications| Complementary 20-V (D-S) MOSFET
●描述与应用| 互补的20-V（D-S） 的MOSFET
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
补充20 -V （D -S ）的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
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