SI1025X 数据手册 - VISHAY（威世）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -190mA/-0.19A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 8Ω@ VGS = -4.5V, ID = -25mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free Option Available • Trench FET Power MOSFETs • High-Side Switching • Low On-Resistance: 4 Ω • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 23 pF (typ.) • Miniature Package • Gate-Source ESD Protected: 2000 V APPLICATIONS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors etc. • Battery Operated Systems • Power Supply Converter Circuits • Solid State Relays 描述与应用| P沟道60-V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤股权  •沟槽FET功率MOSFET  •高边开关  •低导通电阻：4Ω  •低阈值： - 2 V（典型值）  •开关速度快：20 ns（典型值）  •低输入电容23 PF（典型值）  •微型包装  •门源ESD保护：2000 V 应用  •驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，记忆，晶体管等。  •电池供电系统  •电源转换器电路  •固态继电器