| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | D2PAK |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK / I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型“单一特征尺寸” POWER MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
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