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STW55NM50N
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STW55NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道500 V， 0.040 Ω ， 54 A，的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 247 N-channel 500 V, 0.040 Ω, 54 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-247
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STW55NM50N 数据手册 (12 页)
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STW55NM50N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗350 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)54A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)5800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)350 W
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350W (Tc)
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STW55NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STW55NM50N 数据手册

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