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STB60NH02L
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STB60NH02L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TO-263-3
描述:N沟道24V - 0.0085欧姆 - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
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STB60NH02L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-3
极性N-CH
漏源极电压(Vds)24 V
连续漏极电流(Ids)60A
输入电容值(Ciss)1400pF @15V(Vds)
额定功率(Max)70 W
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STB60NH02L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB60NH02L 数据手册

STB60NH02L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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