| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300W (Tc) |
| 输入电容 | 4270 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 40.0 A |
| 上升时间 | 56 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4270pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.019ohm - 80A D2PAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D2PAK - I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET
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