| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 56 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4270pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 8.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 0.0085欧姆 - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D2PAK - I2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道24V - 0.0085欧姆 - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
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