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STB60NH02LT4
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STB60NH02LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道24V - 0.0085欧姆 - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET
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STB60NH02LT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)24.0 V
额定电流60.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻8.50 mΩ
极性N-Channel
功耗70 W
漏源极电压(Vds)24 V
漏源击穿电压24.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
输入电容值(Ciss)1400pF @15V(Vds)
额定功率(Max)70 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)70W (Tc)
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STB60NH02LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB60NH02LT4 数据手册

STB60NH02LT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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