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STD105N10F7AG
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STD105N10F7AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:100V,8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STD105N10F7AG 数据手册 (14 页)
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STD105N10F7AG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗120 W
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)4369pF @50V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)120W (Tc)

STD105N10F7AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD105N10F7AG 数据手册

STD105N10F7AG 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.64 MByte

STD105N10F7 数据手册

STD105N10F7AG 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
100V,8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
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