| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N+P |
| 功耗 | 0.87 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.8A/1.42A |
| 上升时间 | 1.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 166pF @40V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 870 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） 60V 1.39A，1.28A 870mW 表面贴装型 8-SO
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) ZXMHC6A07N8TC SO-8
Diodes Zetex（捷特科）
补充增强模式 MOSFET H 桥接，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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