类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 110 W |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 17A |
上升时间 | 17.2 ns |
输入电容值(Ciss) | 1000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 110 W |
下降时间 | 8.8 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STD1802T4 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 150 MHz, 15 W, 3 A, 200 hFE
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N沟道30V - 0.038Ω - 17A - DPAK封装的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET
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低压快速开关NPN功率晶体管 Low voltage fast-switching NPN power transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道250V, 0.14 I© , 17的低栅极电荷STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET的D2PAK和DPAK封装 N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charge STripFET⢠II Power MOSFET in D2PAK and DPAK packages
ST Microelectronics(意法半导体)
低压快速开关NPN功率晶体管 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Visual Communications Company
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 40 V 2.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F6 功率 Mosfet - DPAK-3
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低压快速开关NPN功率晶体管 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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