Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STD60NH03L-1 Datasheet 文档
STD60NH03L-1
来自 AiPCBA

STD60NH03L-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:N沟道30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
PDF文件:STD60NH03L-1 数据手册 (16 页)封装尺寸在11 页12 页13 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STD60NH03L-1 数据手册 (16 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STD60NH03L-1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)30.0 V
额定电流60.0 A
封装TO-251-3
漏源极电阻9.00 mΩ
极性N-Channel
功耗70 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间95 ns
输入电容值(Ciss)2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)70 W
下降时间15 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)70W (Tc)
查看数据手册 >

STD60NH03L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度6.6 mm
宽度2.4 mm
高度6.2 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

STD60NH03L-1 数据手册

STD60NH03L-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.52 MByte

STD60NH03 数据手册

STD60NH03LT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
STD60NH03L-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD60NH03L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0075 W¯¯ - 60A DPAK / IPAK的STripFET III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
STD60NH03L1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet