STD6NM60N-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-251-3
描述:	N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STD6NM60N-1 数据手册 (19 页)

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STD6NM60N-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-251-3
功耗	45W (Tc)
漏源极电压(Vds)	600 V
输入电容值(Ciss)	420pF @50V(Vds)
耗散功率(Max)	45W (Tc)

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STD6NM60N-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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